Description
-Adota chip de nível wafer 3D NAND de alta qualidade
-Suporta protocolo PCIe3.0 x4 e NVMe 1.3 -Placa de
resfriamento toda em metal incluída; equipado com tecnologia inteligente de controle de temperatura
-Suporta TRIM para melhorar o desempenho e velocidade de leitura/gravação
-Suporta Max. Tecnologia de gravação para cache SLC de disco completo; LDPC ECC
Leitura Sequencial Até 2000 MB/s; Gravar até 1450 MB/s
-Gerenciamento de baixo consumo de energia
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Modelo do produto
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E900N512G
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Capacidade
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512 GB
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Fator de forma
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M.2 2280
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Porta
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PCIe Gen 3.0 x 4
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Peso líquido
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Máximo de 8 g (0,02 lb)
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Dimensões do produto
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80,0 mm × 23,0 mm × 4,8 mm (3,15″ × 0,91″ × 0,19″)
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Dimensões da Embalagem
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140,5 mm × 105,5 mm × 15,5 mm (5,53″ × 4,15″ × 0,61″)
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Componente de memória
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TLC 3D
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Consumo de energia
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2848 mW (máx.)
528 mW (ocioso)
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INTELIGENTE
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Apoiar
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APARAR
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Apoiar
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Coleta de lixo
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Apoiar
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Leitura sequencial
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Até 2.000 MB/s
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Gravação sequencial
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Até 1450 MB/s
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Leitura aleatória de 4K
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até 90000
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Gravação aleatória 4K
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Até 200.000
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MTBF
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1.500.000 horas
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Temperatura de operação
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0°C a 70°C (32°F a 158°F)
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Temperatura de armazenamento
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–40°C a 85°C (–40°F a 185°F)
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Umidade Operacional
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5%–95% (sem condensação)
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Resistência à vibração
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7–800 Hz, 3,08 G
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Resistência ao choque
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1500 G/0,5 ms (meia onda senoidal)
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TBW
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256 TB
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garantia
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Garantia limitada de 3 anos
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Informações de referência
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1. Cálculo da capacidade: 1 GB = 1 bilhão de bytes (IDEMA). A capacidade disponível real pode ser reduzida (devido à formatação, partição, aplicativos do sistema operacional ou outro uso necessário).
2. As dimensões são após a instalação da placa de resfriamento.
3. Configuração do sistema de teste de desempenho: Chipset Intel Z390, Intel Core [email protected], 16GB DDR4,; sistema operacional-Windows 10 x64; ferramenta de teste-CrystalDiskMark 6.0.0.
4. Período de garantia ou valor máximo de gravação (TBW), o que
ocorrer primeiro.
5. O cache SLC de alto desempenho foi ativado.
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